联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利电阻式存储装置以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010835984.0，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻式存储装置以及其制作方法是由杨柏宇设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式存储装置以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种电阻式存储装置以及其制作方法，其中该电阻式存储装置包括第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一下电极、第一上电极设置于第一下电极上以及第一可变电阻层于垂直方向上设置于第一下电极与第一上电极之间。第二堆叠结构包括第二下电极、第二上电极设置于第二下电极上以及第二可变电阻层于垂直方向上设置于第二下电极与第二上电极之间。第一可变电阻层的厚度小于第二可变电阻层的厚度，由此增加电阻式存储装置可切换的电阻状态。
本发明授权电阻式存储装置以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括： 第一堆叠结构，该第一堆叠结构包括： 第一下电极； 第一上电极，设置于该第一下电极上；以及 第一可变电阻层，在垂直方向上设置于该第一下电极与该第一上电极之间；以及 第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括： 第二下电极； 第二上电极，设置于该第二下电极上；以及 第二可变电阻层，在该垂直方向上设置于该第二下电极与该第二上电极之间，其中该第一可变电阻层的厚度小于该第二可变电阻层的厚度，其中该第一下电极与该第二下电极电连接，且该第一上电极与该第二上电极电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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