铠侠股份有限公司田上政由获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193609.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及其制造方法是由田上政由;北本克征;小宫谦设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种半导体装置及其制造方法，在存储器孔或狭缝等的蚀刻步骤中，既能抑制存储器孔或狭缝下方的源极层的电弧，又能减少制造步骤及制造成本。本实施方式的半导体装置具备相互以绝缘状态积层的多个第1电极膜。多个半导体部件在多个第1电极膜的积层体内，在该多个第1电极膜的积层方向上延伸。多个电荷蓄积部件设置在多个第1电极膜与多个半导体部件之间。第1导电膜具有第1面，在第1面上共通连接于多个半导体部件。第1绝缘膜设置在所述第1导电膜的与第1面为相反侧的第2面上。接点设置在第1绝缘膜内，连接于第1导电膜。第2导电膜设置在第1绝缘膜上，连接于接点。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 积层体，包含积层的多个第1电极膜，所述多个第1电极膜相互绝缘； 多个半导体部件，在所述多个第1电极膜的所述积层体内延伸； 多个电荷蓄积部件，设置在所述多个第1电极膜与所述多个半导体部件之间； 第1导电膜，具有第1面及与所述第1面相对的第2面，且所述第1导电膜在该第1面上共通连接于所述多个半导体部件； 第1绝缘膜，设置在所述第1导电膜的所述第2面上； 多个接点，配置在所述积层体上方，设置在所述第1绝缘膜内，且所述多个接点各自的下表面与所述第1导电膜的所述第2面直接连接且成为与所述第1导电膜的所述第2面同一平面，所述第2面是所述第1导电膜的最上表面；以及 第2导电膜，设置在所述第1绝缘膜上，连接于所述接点。
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