杭州鸿泉物联网技术股份有限公司叶飞虎获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州鸿泉物联网技术股份有限公司申请的专利NOR-FLASH模拟FRAM存储的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111440096.X，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权NOR-FLASH模拟FRAM存储的方法及装置是由叶飞虎;刘沾林;何军强;沈林强;陆凯锋设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本NOR-FLASH模拟FRAM存储的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种NOR‑FLASH模拟FRAM存储的方法及装置，该方法包括：根据配置参数格式化模拟FRAM存储分区；初始化模拟FRAM存储分区；基于待存储数据的偏移量，确定对模拟FRAM存储分区的写操作。本发明通过使用NOR‑FLASH存储芯片替代FRAM存储器，并设计一种存储结构来映射偏移位置数据的读写，保证NOR‑FLASH对应的新的接口读写操作与FRAM读写操作相同，有效降低应用的开发成本，从而提高系统存储的利用率。
本发明授权NOR-FLASH模拟FRAM存储的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种NOR-FLASH模拟FRAM存储的方法，其特征在于，包括： 根据配置参数格式化模拟FRAM存储分区； 初始化模拟FRAM存储分区； 基于待存储数据的偏移量，确定对模拟FRAM存储分区的写操作； 所述基于待存储数据的偏移量，确定对模拟FRAM存储分区的写操作，包括： 确定待存储数据对应的目标单元号，并读取所述目标单元号对应的已存数据； 基于待存储数据和所述目标单元号对应的已存数据，判断是否存在比特位从0变为1的情况； 若不存在比特位从0变为1的情况，则用待存储数据更新所述目标单元号对应的已存数据； 若存在比特位从0变为1的情况，则在数据页中分配新的单元号和新的单元存储空间，用于存储所述待存储数据。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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