福建华佳彩有限公司黄涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种Micro&Mini-LED的架构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210510057.0，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权一种Micro&Mini-LED的架构及其制造方法是由黄涛;陈廷安设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro&Mini-LED的架构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro&Mini‑LED的架构及其制造方法，包括SiO22层，所述SiO22层的底部设置有Gate栅极层，SiO22层的顶部设置有一层石墨烯层，所述石墨烯层的一端设置有Source&Drain电极和N型电极，石墨烯层的顶部设置有一层N型GaN层，且N型GaN层延伸至N型电极上，Source&Drain电极的外侧设置有一层PMMA膜层，且PMMA膜层延伸至Source&Drain电极与N型电极之间的石墨烯层上，在溢流法玻璃基板上通过高温热解法附着并固定石墨烯薄膜，并且利用石墨烯薄膜作为石墨烯场效应晶体管来组成Micro‑LED的驱动电路，同时利用PMMA材料成膜对石墨烯层进行保护，以防止紫外光曝光和蚀刻时对石墨烯造成损伤，直接在石墨烯层上外延生长GaN即可实现在玻璃基板上外延LED芯片的目的。
本发明授权一种Micro&Mini-LED的架构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种Microamp;Mini-LED的架构，包括SiO2层2，其特征在于：所述SiO2层2的底部设置有Gate栅极层1，所述SiO2层2的顶部设置有一层石墨烯层3，所述石墨烯层3的一端设置有Sourceamp;Drain电极5和N型电极6，所述石墨烯层3的顶部设置有一层N型GaN层4，且N型GaN层4延伸至N型电极6上，所述Sourceamp;Drain电极5的外侧设置有一层PMMA膜层7，且PMMA膜层7延伸至Sourceamp;Drain电极5与N型电极6之间的石墨烯层3上，所述N型GaN层4的顶部设置有Gaas量子阱层8，所述Gaas量子阱层8的顶部设置有P型GaN层9，所述P型GaN层9的顶部设置有P型电极10。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建华佳彩有限公司，其通讯地址为：351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励