桑迪士克科技有限责任公司神馆北斗获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利基于栅极材料的电容器和电阻器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006558.9，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权基于栅极材料的电容器和电阻器结构及其形成方法是由神馆北斗;小川裕之;岩田大;藤乡光弘设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于栅极材料的电容器和电阻器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容器或电阻器结构，其中的至少一者可通过将栅极介电层图案化成栅极电介质并且图案化成第一节点电介质或第一电阻器隔离电介质，并且通过将半导体层图案化成栅极电极并且图案化成电容器或电阻器条带的第二电极而与场效应晶体管的形成同时形成。然后将触点形成到该电容器或电阻器结构。在图案化该电容器或电阻器触点之前，可在该栅极电极上形成侧壁间隔物以减小对该下面电容器或电阻器层的损坏。
本发明授权基于栅极材料的电容器和电阻器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括位于包括衬底半导体层的半导体衬底上的电容器结构，其中所述电容器结构包括： 第一电极，所述第一电极包括所述衬底半导体层的第一衬底半导体部分； 第一节点电介质，所述第一节点电介质位于所述衬底半导体层的所述第一衬底半导体部分的顶表面上； 第二电极，所述第二电极包括位于所述第一节点电介质的顶表面上的第一半导体板； 第二节点电介质，所述第二节点电介质位于所述第一半导体板的顶表面上； 第三电极，所述第三电极包括主半导体板和主金属板的堆叠； 壕沟沟槽，所述壕沟沟槽横向围绕所述第三电极； 外围堆叠，所述外围堆叠横向围绕所述第三电极，其中所述外围堆叠包括外围半导体板和外围金属板，并且其中所述外围半导体板接触所述第二节点电介质的顶表面的外围部分，包括与所述主半导体板相同的材料，并且与所述主半导体板横向间隔开；和 至少一个接触级介电层，所述至少一个接触级介电层在所述第三电极和所述外围堆叠上方横向延伸。
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