桑迪士克科技有限责任公司R·S·马卡拉获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081621.0，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其形成方法是由R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;周非;李姚盛设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，该绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠可以在衬底上方形成。间隔物材料层可以形成为导电层，或者可以随后被导电层替换。存储器开口可以穿过交替堆叠形成，并且环形横向凹陷部形成在该绝缘层的层级处。金属部分形成在该环形横向凹陷部中，并且半导体材料层沉积在该金属部分上方。金属‑半导体合金部分通过执行退火工艺形成，并且随后通过执行选择性蚀刻工艺来移除。半导体材料层的剩余部分包括半导体材料部分的竖直堆叠，该半导体材料部分可以任选地部分地或完全地转换成氮化硅材料部分。半导体材料部分和或氮化硅材料部分可以用作分立电荷存储元件。
本发明授权包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成三维存储器器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，其中所述间隔物材料层形成为导电层或者随后被导电层替换； 形成穿过所述交替堆叠的存储器开口； 通过使所述绝缘层的侧壁相对于所述存储器开口周围的所述间隔物材料层的侧壁横向地凹陷，在所述绝缘层的层级处形成环形横向凹陷部； 在所述环形横向凹陷部中形成分立金属部分的竖直堆叠； 在所述金属部分的所述竖直堆叠上形成半导体材料层； 通过使所述金属部分的所述竖直堆叠与所述半导体材料层的被定位在所述绝缘层的层级处的部分反应来形成金属-半导体合金部分的竖直堆叠； 相对于所述半导体材料层的未反应部分选择性地移除金属-半导体合金部分的所述竖直堆叠，其中所述半导体材料层的未反应部分保留在所述间隔物材料层的层级处并且包括分立半导体材料部分的竖直堆叠；以及 在所述存储器开口中形成隧穿介电层和竖直半导体沟道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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