聚灿光电科技(宿迁)有限公司徐洋洋获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210392086.1，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法是由徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法，包括：依次叠层排布的衬底、插入层、导电层、低掺导电层和LED结构层，所述插入层为六方氮化硼层；所述导电层包括多个氮化镓铝氮化镓异质结层。六方氮化硼层状结构相互间作用力小，剥离对上层外延结构损伤小。利用六方氮化硼层状结构特性，激光剥离技术不会对六方氮化硼层上的结构有破坏，从而提升LED芯片的良率。氮化镓铝氮化镓异质结的结构因材质不同，可以起到类似芯片DBR作用。而且，通过氮化镓铝氮化镓异质结层掺硅的浓度逐渐降低设计，能很好的和电极匹配，有着很好的导电和欧姆接触效果。
本发明授权一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直外延结构LED芯片，其特征在于，包括：依次叠层排布的衬底、插入层、导电层、低掺导电层和LED结构层； 所述插入层为六方氮化硼层； 所述导电层包括多个氮化镓铝氮化镓异质结层，所述氮化镓铝氮化镓异质结层由氮化镓铝层和氮化镓层组成； 所述氮化镓铝氮化镓异质结层中掺杂硅，所述掺杂硅的浓度从靠近所述插入层到靠近低掺导电层依次从高到低分布； 所述低掺导电层为掺杂硅的氮化镓层； 所述六方氮化硼层的厚度为1.8-2μm； 所述氮化镓铝氮化镓异质结层中，所述掺杂硅的浓度靠近所述插入层为第一浓度，所述掺杂硅的浓度靠近所述LED结构层为第二浓度，所述第一浓度为1E19-2E19，所述第二浓度为1E18-5E18。
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