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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种硅MEMS谐振器及其本体压阻热实现频率漂移自补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114785310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210466141.7，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权一种硅MEMS谐振器及其本体压阻热实现频率漂移自补偿方法是由韦学勇;徐铭柯;徐柳;齐永宏设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅MEMS谐振器及其本体压阻热实现频率漂移自补偿方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅MEMS谐振器及其本体压阻热实现频率漂移自补偿方法，通过MEMS振荡器激励电极给予谐振器交流电激励信号，频率等于谐振器本身频率使谐振器发生振荡，检测电极将采集的谐振器振荡信号分成两路，一路通过闭环振荡系统以实现闭环振荡，另一路输送给频率读取装置，频率读取装置采集信号频率，并将频率数据实时传输给频率‑电压处理模块，频率‑电压处理模块对信号频率进行处理，将实际频率与设定频率之间的误差转化为电压信号，经过数模电压转换模块实现电压信号的数模转换，将压电信号输入MEMS谐振结构两端电极，偏置电压发生变化使得MEMS谐振器所产生压阻热发生改变，振荡频率始终稳定在设定频率附近，实现频率漂移的补偿。

本发明授权一种硅MEMS谐振器及其本体压阻热实现频率漂移自补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种硅MEMS谐振器本体压阻热实现频率漂移自补偿方法，其特征在于，采集硅MEMS谐振器自激振荡的振动频率；根据振动频率数值，利用温度-频率关系结合算法计算补偿频率所需电压；对补偿频率所需电压进行模数电压转换后输出直流电压；将直流电压作为硅MEMS谐振器本体偏置电压，使得硅MEMS谐振器的压阻热发生变化；根据硅谐振器频率-温度特性改变硅MEMS谐振器的本征频率，补偿硅MEMS谐振器受外界影响产生的频率漂移； MEMS振荡器通过激励电极给予MEMS谐振器交流电激励信号，MEMS谐振器的检测端经压阻热频率补偿系统的频率-温度补偿回路连接本体加热端，频率-温度补偿回路具体为： 向本体加热端设置偏置电压使MEMS谐振器产生压阻热，MEMS谐振器振动信号经检测端传输给频率读取模块，频率读取模块将频率信号实时传输给频率-电压处理模块，频率-电压处理模块将电压信号经模数电压转换模块输送给本体加热端，以调控MEMS振荡器的压阻热，频率-电压处理模块负责处理频率读取装置传输的振荡器频率，将对应频率与初始设定频率之间的偏差转化为电压变化量，并得到对应时刻的电压输出量，将电压输出量转化为模拟信号输入给模数电压转换模块，并在下一次电压输出量变化之前，维持对应输出状态不变。

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