台湾积体电路制造股份有限公司陈彦宾获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210091835.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权制造半导体器件的方法和系统是由陈彦宾;佛罗伦丁·达杜;谢维致;林子恒;王中兴设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和系统在说明书摘要公布了：本申请的实施例涉及制造半导体器件的方法和系统。对于制造半导体器件的方法，相应的布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，布局图相对于第一和第二垂直方向布置，布局图包括单元，使得对于单元的子集，子集中的单元中的每个主题主题单元具有邻域，该邻域包括在主题单元相对于第一方向的相应第一侧和第二侧上的第一接近单元和第二接近单元。该方法包括：对于子集中的每个主题单元，生成表示接近特性邻近效应信息的副文件。对于单元子集中的每个单元，生成副文件包括与由第一接近单元引起的单元间邻近效应相相应的第一接近特性邻近效应NSPE参数和与由第二接近单元引起的单元间邻近效应相相应的第二NSPE参数填加副文件。
本发明授权制造半导体器件的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，相应的布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，所述布局图相对于第一垂直方向和第二垂直方向布置，所述布局图包括单元，使得对于单元的子集，所述子集中的单元中的每个主题单元具有邻域，所述邻域包括在所述主题单元相对于所述第一垂直方向的相应第一侧和第二侧上的第一接近单元和第二接近单元，其中，每个主题单元位于相应的所述邻域的中心，所述第一接近单元和所述第二接近单元是相应的所述邻域中除去所述主题单元的单元，所述方法包括： 对于所述子集中的每个主题单元， 生成表示接近特性邻近效应信息的副文件；并且 其中： 对于所述单元的所述子集中的每个单元， 所述生成副文件，包括： 利用与由所述第一接近单元引起的单元间邻近效应相应的第一接近特性邻近效应参数填加所述副文件；和 利用与由所述第二接近单元引起的单元间邻近效应相应的第二接近特性邻近效应参数填加所述副文件。
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