TDK株式会社有马润获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利肖特基势垒二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087212.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基势垒二极管是由有马润;藤田实;川崎克己;平林润设计研发完成，并于2020-10-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本发明的课题在于在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止阳极电极与保护膜的界面的剥离。肖特基势垒二极管11具备：由氧化镓构成的半导体基板20；设置于半导体基板20上的由氧化镓构成的漂移层30；与漂移层30肖特基接触的阳极电极40；与半导体基板20欧姆接触的阴极电极50；覆盖设置于漂移层30的沟槽61的内壁的绝缘膜63；和覆盖阳极电极40的保护膜70，保护膜70的一部分72嵌入沟槽61内。这样保护膜70的一部分72嵌入沟槽61内，因此，阳极电极40与保护膜70的密合性提高。由此，能够防止阳极电极40与保护膜70的界面的剥离。
本发明授权肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于， 具备： 由氧化镓构成的半导体基板； 设置在所述半导体基板上的由氧化镓构成的漂移层； 与所述漂移层肖特基接触的阳极电极； 与所述半导体基板欧姆接触的阴极电极； 覆盖设置在所述漂移层的沟槽的内壁的整体的绝缘膜；以及 覆盖所述阳极电极的保护膜， 所述沟槽位于所述阳极电极的肖特基接触区域的外周， 仅所述绝缘膜、所述保护膜的一部分以及与所述阳极电极电连接的金属部件嵌入所述沟槽内， 所述金属部件及所述保护膜具有沿着所述沟槽的内壁的边界形状， 所述保护膜和所述金属部件的边界与所述绝缘膜接触， 所述金属部件仅经由所述绝缘膜形成于所述漂移层上。
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