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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198004.X，技术领域涉及：H10D64/64；该发明授权一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法是由杨雨;田晓丽;刘新宇;白云;杨成樾;王二俊;汤益丹;陈宏设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非对称沟槽栅IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区即第一P阱区上方制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区逸出，提升空穴浓度，从而显著降低器件的正向导通压降，减少通态损耗，显著增强器件的导电能力，同时击穿电压与栅极氧化物电场没有退化。本发明还涉及所述非对称沟槽栅IGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。

本发明授权一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括： 集电极； P型集电层，所述P型集电层设置在所述集电极的上表面； N型漂移层，所述N型漂移层设置在所述P型集电层的上表面，所述N型漂移层上表面的表层设有彼此分离的第一P阱区和第二P阱区，所述第二P阱区上表面的浅表层设有P型重掺杂接触区和N型重掺杂源区，所述P型重掺杂接触区和所述N型重掺杂源区彼此接触； 沟槽栅单元，所述沟槽栅单元包括：栅极；栅介质层，覆盖所述栅极的侧壁和下表面；以及层间介质层，覆盖所述栅极的上表面；所述沟槽栅单元设置在所述第一P阱区和所述第二P阱区之间并且与它们接触，所述沟槽栅单元与所述N型重掺杂源区接触； 发射极，所述发射极覆盖所述P型重掺杂接触区和所述N型重掺杂源区的上表面，并且覆盖所述层间介质层的部分上表面；以及 金属层，所述金属层覆盖所述第一P阱区的上表面，并且覆盖所述层间介质层的部分上表面，其中所述金属层与所述第一P阱区形成肖特基接触； 所述N型漂移层设有N型电流扩展区，所述N型电流扩展区设置在所述第一P阱区和第二P阱区的下表面； 所述N型电流扩展区的上表面设有台阶状结构，所述台阶状结构包括第一侧面、第一上表面、第二侧面和第二上表面，所述沟槽栅单元覆盖所述第一上表面和第二侧面，所述第二上表面与所述第二P阱区接触，所述第一侧面设置在所述沟槽栅单元的下方居中位置处，所述台阶状结构的最大宽度为小于或等于1.6μm。

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