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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210727614.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由西胁达也;大麻浩平;松叶博;相田喜久夫;洪洪设计研发完成，并于2018-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种抑制了在恢复动作时产生破坏的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围；第1区域，是处于上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的形成有第1导电型的源极区域的区域；第2区域，在上述多个区域中，位于上述第1区域的末端区域，未形成有上述源极区域；第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上述源极电极电连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，具备： 第1导电型的第1半导体区域； 第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上； 多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域； 多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围； 第1区域，是上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的位于两个上述栅极绝缘膜之间的区域，上述第1区域形成有第1导电型的源极区域； 第2区域，是上述多个区域中的位于两个上述栅极绝缘膜之间的区域，上述第2区域位于上述第1区域的末端区域，上述第2区域未形成有上述源极区域； 第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及 比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上述源极电极电连接， 上述基底区域、上述栅极电极、上述第1区域、上述第2区域、上述第1接触部及上述第2接触部以第1方向作为长度方向被延伸形成， 上述第2区域设置在与上述第1方向交叉的方向即第2方向的两侧，在这些设置在两侧的上述第2区域分别形成有1个上述第2接触部，并且在这些上述第2区域之间形成有多个上述第1区域， 在多个上述第1区域的每个上述第1区域形成有1个上述第1接触部； 上述第1接触部与上述第2接触部由金属形成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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