株式会社国际电气西野达弥获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210183966.8，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质是由西野达弥;田中昭典;堀井明;谷山智志设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质，能降低炉口挡板的腐蚀。本发明提供一种基板处理装置，具有处理容器和炉口挡板，所述处理容器具备能够使保持有基板的基板保持件出入的开口和在开口的周围形成的第一密封面，所述炉口挡板具备与第一密封面相面对的第二密封面且在处理容器内未容纳基板保持件的状态下能够将开口闭塞；炉口挡板具有：配置在面向处理容器内的内表面侧且比开口大的保护板和配置在外表面侧且保持保护板的盖体，由保护板的外周部和盖体形成第二密封面，从与保护板相比的更外周侧向第一密封面和第二密封面之间的间隙供给吹扫气体。
本发明授权基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，具有处理容器和炉口挡板，所述处理容器具备能够使保持有基板的基板保持件出入的开口和在开口的周围形成的第一密封面，所述炉口挡板具备与所述第一密封面相面对的第二密封面，且在所述处理容器内未容纳基板保持件的状态下能够将所述开口闭塞， 所述炉口挡板具有：配置在面向所述处理容器内的内表面侧且比所述开口大的保护板和配置在外表面侧且保持所述保护板的盖体，由所述保护板的外周部和所述盖体形成所述第二密封面， 从与所述保护板相比的更外周侧向所述第一密封面和所述第二密封面之间的间隙供给吹扫气体。
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