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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835833.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置以及半导体电路是由安原纪夫;岩鍜治阳子;川口雄介;吉川大辉;松下宪一;花形祥子;末代知子;系数裕子;河村圭子设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体电路在说明书摘要公布了：实施方式提供能够降低开关损耗的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面及第二面、从第一面侧到第二面侧依次具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域和第二导电型的第四半导体区域，并具有第一面侧的第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第一导电层，与第一沟槽之中的第一栅极电极与第二面之间的第一栅极电极分离；第二沟槽之中的第二栅极电极；第二沟槽之中的第二栅极电极和第二面之间的第二导电层；第一面侧的第一电极；第二面的第二电极；与第一栅极电极电连接的第一栅极电极焊盘；及与第二栅极电极电连接的第二栅极电极焊盘。

本发明授权半导体装置以及半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面，该半导体层包括： 第一导电型的第一半导体区域； 第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第一面之间； 第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第一面之间； 第二导电型的第四半导体区域，设置于所述第三半导体区域与所述第一面之间； 第一沟槽，设置于所述第一面侧；和 第二沟槽，设置于所述第一面侧； 第一栅极电极，设置于所述第一沟槽之中； 第一栅极绝缘膜，设置于所述第一栅极电极与所述第二半导体区域之间、所述第一栅极电极与所述第三半导体区域之间、所述第一栅极电极与所述第四半导体区域之间，与所述第四半导体区域接触； 第一导电层，在所述第一沟槽之中设置于所述第一栅极电极与所述第二面之间，与所述第一栅极电极电分离； 第一绝缘膜，设置于所述第一导电层与所述第二半导体区域之间； 第二栅极电极，设置于所述第二沟槽之中； 第二栅极绝缘膜，设置于所述第二栅极电极与所述第二半导体区域之间、所述第二栅极电极与所述第三半导体区域之间； 第二导电层，在所述第二沟槽之中设置于所述第二栅极电极与所述第二面之间； 第二绝缘膜，设置于所述第二导电层与所述第二半导体区域之间； 第一电极，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述第四半导体区域电连接； 第二电极，设置于所述半导体层的所述第二面侧，与所述第一半导体区域电连接； 第一栅极电极焊盘，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述第一栅极电极电连接，被施加第一栅极电压；以及 第二栅极电极焊盘，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述第二栅极电极电连接，被施加第二栅极电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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