长鑫存储技术有限公司孙会娟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种驱动电路的版图、半导体结构及半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111022398.5，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种驱动电路的版图、半导体结构及半导体存储器是由孙会娟;李智勋设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种驱动电路的版图、半导体结构及半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种驱动电路的版图、半导体结构及半导体存储器，该版图包括：P型晶体管、N型晶体管和四个测试模块；其中，所述四个测试模块分布于所述P型晶体管和所述N型晶体管的两侧且呈上下对称结构，所述P型晶体管和所述N型晶体管在所述四个测试模块的中间呈上下结构分布。这样，不仅可以提高信号的匹配性和一致性，减少外部因素的影响；同时整体版图呈对称结构，而且排布紧凑，还可以达到节省面积的目的。
本发明授权一种驱动电路的版图、半导体结构及半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路的版图，其特征在于，所述版图包括P型晶体管、N型晶体管和四个测试模块；其中，所述四个测试模块分布于所述P型晶体管和所述N型晶体管的两侧且呈上下对称结构，所述P型晶体管和所述N型晶体管在所述四个测试模块的中间呈上下结构分布。
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