西安电子科技大学赵胜雷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211371553.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管及其制备方法是由赵胜雷;王浩宇;张进成;刘爽;张嘎;吴风;王东;郝跃设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底、依次堆叠在衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层、分别位于势垒层两侧的源极和漏极、位于源极和漏极之间的掺杂层、位于势垒层上的氮化物层以及位于氮化物层上的栅极；其中，栅极的底部与氮化物层接触；源极和漏极分别与势垒层接触；掺杂层依次贯穿势垒层、沟道层；掺杂层的底面与沟道层的底面齐平；氮化物层位于源极和漏极之间。本申请实施例能够解决入射高能粒子在器件中产生高密度电子空穴对非平衡载流子，影响高压器件电场分布，导致器件在低于正常额定电压下易发生单粒子烧毁的问题。
本发明授权一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁的高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底以及依次堆叠在所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层； 分别位于所述势垒层两侧的源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述势垒层接触； 位于所述源极和所述漏极之间的掺杂层，所述掺杂层依次贯穿所述势垒层、所述沟道层，且所述掺杂层的底面与所述沟道层的底面齐平； 位于所述势垒层上的氮化物层，且所述氮化物层位于所述源极和所述漏极之间； 位于所述氮化物层上的栅极，所述栅极的底部与所述氮化物层接触； 所述掺杂层包括P型掺杂层以及覆盖所述P型掺杂层的侧壁以及底面的N型掺杂层。
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