京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司孟虎获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利金属网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115769437B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000488.6，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权金属网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法是由孟虎设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种金属网格400的制备方法、薄膜传感器及其制备方法，属于电子器件技术领域。金属网格400的制备方法，其包括提供一衬底基板100；通过构图工艺，在衬底基板上形成包括第一介质层200的图形；第一介质层200上具有网格状的第一槽部201；在第一介质层200背衬底基板100的一侧形成第二介质层300，且第二介质层300至少淀积在第一槽部201的侧壁上，以形成网格状的第二槽部301；在第二槽部301中形成金属材料，并至少将在衬底基板100上的正投影与金属材料无重叠的第二介质层300的材料去除，以形成金属网格400。
本发明授权金属网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属网格的制备方法，其包括： 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上形成一层金属膜层作为种子层； 在所述种子层背离所述衬底基板的一侧形成保护层； 通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括第一介质层的图形；所述第一介质层上具有网格状的第一槽部； 在所述第一介质层背所述衬底基板的一侧形成第二介质层，且所述第二介质层至少淀积在所述第一槽部的侧壁上，以形成网格状的第二槽部； 去除所述第二槽部的底壁和所述第二槽部的底壁位置处的保护层； 对所述种子层进行电镀，以在所述第二槽部中形成金属材料，并至少将在所述衬底基板上的正投影与所述金属材料无重叠的所述第二介质层的材料去除，将所述第二槽部中的部分金属材料去除，使得所述第二槽部中剩余的金属材料的宽度在沿所述衬底基板厚度方向上处处相同，以形成金属网格。
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