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龙图腾网获悉上海林众电子科技有限公司申请的专利一种IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786400U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423209612.X，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型一种IGBT器件是由杨翔宇;张庆雷;王波;王天意设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种IGBT器件，该IGBT器件包括：半导体结构、集电区、第二沟槽栅结构、发射极、第一和二栅极及集电极，半导体结构包括基区、发射区、第一沟槽栅结构、场截止层、漂移区；集电区位于场截止层下表层；第二沟槽栅结构贯穿集电区，第二沟槽栅结构包括背栅沟槽、第一和二介电层、屏蔽栅层、隔离层、及背栅导电层，背栅沟槽贯穿集电区，第一介电层覆盖背栅沟槽底部的内壁及底面，屏蔽栅层填充背栅沟槽底部，隔离层覆盖屏蔽栅层底面，第二介电层覆盖剩余背栅沟槽内壁，背栅导电层填充剩余背栅沟槽；各电极分别与对应区域电连接。本实用新型通过第二沟槽栅结构的设置，避免了器件正向导通时的电压折回现象，降低了器件的关断损耗。

本实用新型一种IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括： 半导体结构，包括第二导电类型基区、第一导电类型发射区、第一沟槽栅结构及层叠的第一导电类型场截止层和第一导电类型漂移区，所述基区位于所述漂移区的上表层，所述发射区位于所述基区的上表层，所述第一沟槽栅结构贯穿所述发射区及所述基区且底面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型集电区，位于所述场截止层的下表层； 第二沟槽栅结构，自所述半导体结构的背面贯穿所述集电区，所述第二沟槽栅结构包括背栅沟槽、第一介电层、屏蔽栅层、隔离层、第二介电层及背栅导电层，所述背栅沟槽贯穿所述集电区，所述第一介电层覆盖所述背栅沟槽底部的内壁及底面，所述屏蔽栅层填充所述背栅沟槽的底部，所述隔离层覆盖所述屏蔽栅层的底面，所述第二介电层覆盖所述隔离层下方的所述背栅沟槽的内壁，所述背栅导电层填充剩余所述背栅沟槽且上表面高于所述集电区的上表面； 发射极，与所述发射区电连接； 第一栅极，与所述第一沟槽栅结构电连接； 第二栅极，与所述背栅导电层电连接； 集电极，与所述集电区及所述屏蔽栅层电连接。

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