北京燕东微电子科技有限公司代佳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利CMOS器件及集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786401U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520006928.4，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型CMOS器件及集成电路是由代佳;刘恩峰;于江勇设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS器件及集成电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种CMOS器件及集成电路，包括衬底、阱区、位于阱区远离衬底一侧的栅极结构、位于阱区内部的源漏注入区。抗辐射加固缓冲区，位于阱区内部，且环绕源漏注入区内的源区和漏区；隔离区，位于衬底的表面，且隔离区在衬底表面的正投影环绕抗辐射加固缓冲区在衬底表面的正投影。这样，可以将源漏区与隔离区隔离，且对原有CMOS器件的主体结构改变相对较小，在保证源区和漏区之间的沟道长度的前提下，即使总剂量辐照效应导致阱区与整个隔离区下的硅表层被反型，由于抗辐射加固缓冲区的存在，源区和漏区之间也无法形成漏电通道，提高了抗辐照的能力。
本实用新型CMOS器件及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种CMOS器件，其特征在于，包括： 衬底； 阱区，自所述衬底的表面向所述衬底内延伸； 位于所述阱区远离所述衬底一侧的栅极结构，所述栅极结构包括层叠设置的栅极介质层和栅极； 位于所述阱区内部的源漏注入区，所述源漏注入区包括源区和漏区，所述源区与所述漏区之间形成沟道区，且所述源区与所述漏区分别位于所述栅极结构的两侧； 抗辐射加固缓冲区，位于所述阱区内部，且环绕所述源区和所述漏区；其中，所述衬底、所述阱区和所述抗辐射加固缓冲区为第一掺杂类型，所述源漏注入区的掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型； 隔离区，位于所述衬底的表面，且所述隔离区在衬底表面的正投影环绕所述抗辐射加固缓冲区在衬底表面的正投影。
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