泰科天润半导体科技(北京)有限公司李昀佶获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786402U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520099494.7，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS是由李昀佶;张长沙;施广彦;何佳设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；低阻区下侧面连接至漂移层上侧面；P型源区下侧面连接至低阻区上侧面；P型阱区下侧面连接至低阻区上侧面，P型阱区外侧面连接至P型源区内侧面，P型阱区内设有N型源区，P型阱区内设有一凹槽；绝缘介质层下部设于凹槽内，绝缘介质层外侧面分别连接P型阱区内侧面以及N型源区内侧面，绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型源区、P型阱区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，实现了器件栅极结构的紧凑设计，降低了器件栅极厚度，提高了器件的功率密度。
本实用新型一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 低阻区，所述低阻区下侧面连接至所述漂移层上侧面； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述低阻区上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述P型阱区外侧面连接至所述P型源区内侧面，所述P型阱区内设有N型源区，所述P型阱区内设有一凹槽； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧面，所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区、P型阱区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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