嘉兴阿特斯技术研究院有限公司姚铮获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池和光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786408U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520039323.5，技术领域涉及：H10F10/166；该实用新型一种异质结太阳能电池和光伏组件是由姚铮;张强;张达奇;吴坚设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池和光伏组件。所述异质结太阳能电池包括：硅衬底；沿硅衬底厚度方向，所述硅衬底的主受光面的表面上包括依次层叠设置的正面本征层、正面掺杂层、第一透明氧化物导电层和第一电极；硅衬底的主受光面相对另一侧表面上包括依次层叠的第一背面本征层、第二背面本征层、背面掺杂层、第二透明氧化物导电层和第二电极；沿垂直于所述硅衬底厚度方向的水平方向，所述硅衬底的侧壁表面由内到外包括层叠设置的正面掺杂层、第二背面本征层和背面掺杂层。本实用新型的结构提升了异质结太阳能电池的绝缘效果，使得异质结太阳能电池具有更加良好的隧穿接触和更高的热衰减可靠性，从而实现了电池光电转换效果的提升。
本实用新型一种异质结太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括： 硅衬底； 沿所述硅衬底厚度方向，所述硅衬底的主受光面的表面上包括依次层叠设置的正面本征层、正面掺杂层、第一透明氧化物导电层和第一电极； 沿所述硅衬底厚度方向，所述硅衬底的主受光面相对另一侧表面上包括依次层叠的第一背面本征层、第二背面本征层、背面掺杂层、第二透明氧化物导电层和第二电极； 沿垂直于所述硅衬底厚度方向的水平方向，所述硅衬底的侧壁表面由内到外包括层叠设置的正面掺杂层、第二背面本征层和背面掺杂层。
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