台湾积体电路制造股份有限公司余德伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798578U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520068031.4，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体元件是由余德伟;宋学昌;谢明峰设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体元件。该半导体元件可包括基板、在基板上的第一通道区域及第二通道区域、在第一通道区域的一或多个侧壁上及在第二通道区域的一或多个侧壁上的栅极结构以及在俯视图中位于栅极结构的第一侧边及第二侧边上的介电质间隔件。第一侧边与第二侧边相对。介电质间隔件的第一部位可在第一通道区域及第二通道区域之间延伸。
本实用新型半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 一基板； 一第一通道区域及一第二通道区域，在基板上方； 一栅极结构，其中该栅极结构位于该第一通道区域的一或多个侧壁上及该第二通道区域的一或多个侧壁上；以及 一介电质间隔件，在一俯视图中位于该栅极结构的一第一侧边及一第二侧边上，其中该第一侧边与该第二侧边相对，且其中该介电质间隔件的一第一部位在该第一通道区域及该第二通道区域之间延伸。
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