台湾积体电路制造股份有限公司江振豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798586U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423084199.9，技术领域涉及：H10F30/21；该实用新型半导体装置结构是由江振豪;张立文;吴俊毅;余振华设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构，半导体装置结构包含基底，包含P型区及N型区，P型区及N型区彼此间隔开；半导体装置结构包含光吸收结构，位于基底中的P型区与N型区之间；半导体装置结构包含第一P型膜，位于光吸收结构与P型区之间；半导体装置结构包含第二P型膜，位于光吸收结构与N型区之间，其中基底的一部分将第二P型膜与N型区隔开。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括: 一基底，包括一P型区及一N型区，其中该P型区及该N型区彼此间隔开； 一光吸收结构，位于该基底中的该P型区与该N型区之间； 一第一P型膜，位于该光吸收结构与该P型区之间；以及 一第二P型膜，位于该光吸收结构与该N型区之间，其中该基底的一部分将该第二P型膜与该N型区隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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