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龙图腾网获悉深圳市禾望电气股份有限公司申请的专利一种用于变流装置制动电路的半导体模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798695U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422790774.0，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种用于变流装置制动电路的半导体模块是由王武华;周党生;王琰设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于变流装置制动电路的半导体模块在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于变流装置制动电路的半导体模块，该半导体模块包括：底板；DCB板；多个集电极铜皮、多个发射极铜皮和多个门极铜皮；多组IGBT芯片组，包含有集电极、发射极和门极；至少一组二极管芯片组，包含有阳极和阴极；模块集电极端子和模块发射极端子；模块发射极插针和模块门极插针；模块集电极端子位于底板的一侧，模块发射极端子位于底板的另一侧；模块集电极端子与集电极铜皮中的一个连接，与模块集电极端子连接的集电极铜皮与其余集电极铜皮连接；模块发射极端子与发射极铜皮中的一个连接，与模块发射极端子连接的发射极铜皮与其余发射极铜皮连接。本实用新型可解决半导体模块在使用过程中的发热和利用率不足、效率不足等问题。

本实用新型一种用于变流装置制动电路的半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种用于变流装置制动电路的半导体模块，其特征在于，包括： 底板； DCB板，设置于所述底板的上方，用于绝缘及导热； 铜皮，设置于所述DCB板的上方，所述铜皮包括多个集电极铜皮、多个发射极铜皮和多个门极铜皮； 多组IGBT芯片组，安装于所述铜皮的上方，且每一所述IGBT芯片组均包含有集电极、发射极和门极； 至少一组二极管芯片组，安装于所述铜皮的上方，所述二极管芯片组包含多个二极管芯片，且每一所述二极管芯片均包含有阳极和阴极； 模块端子组，所述模块端子组包括多个模块集电极端子和多个模块发射极端子； 模块插针组，所述模块插针组包括至少一个模块发射极插针和至少一个模块门极插针； 其中，多个所述模块集电极端子位于所述底板的一侧，多个所述模块发射极端子位于所述底板的另一侧；多个所述模块集电极端子与多个所述集电极铜皮中的一个连接，且与所述模块集电极端子连接的集电极铜皮还与其余所述集电极铜皮连接；多个所述模块发射极端子与多个所述发射极铜皮中的一个连接，且与所述模块发射极端子连接的发射极铜皮还与其余所述发射极铜皮连接； 所述集电极铜皮包括第一集电极铜皮和第二集电极铜皮；所述IGBT芯片组包括第一IGBT芯片组和第二IGBT芯片组，所述第一IGBT芯片组设置于所述第一集电极铜皮上，所述第二IGBT芯片组设置于所述第二集电极铜皮上； 所述第一IGBT芯片组包含M个IGBT芯片，M个IGBT芯片中的第一个IGBT芯片的集电极焊接在第一集电极铜皮的左下部，第二个IGBT芯片位于第一个IGBT芯片的右上方并焊接在第一集电极铜皮上，第三个IGBT芯片位于第二个IGBT芯片的右上方并焊接在第一集电极铜皮上，依次类推，第M个芯片位于第M-1个IGBT芯片的右上方并焊接在第一集电极铜皮上； 所述第二IGBT芯片组包含N个IGBT芯片，N个IGBT芯片中的第一个IGBT芯片的集电极焊接在第二集电极铜皮的左下部，第二个IGBT芯片位于第一个IGBT芯片的右上方并焊接在第二集电极铜皮上，第三个IGBT芯片位于第二个IGBT芯片的右上方并焊接在第二集电极铜皮上，依次类推，第N个芯片位于第N-1个IGBT芯片的右上方并焊接在第二集电极铜皮上。

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