臻驱科技(上海)股份有限公司夏雨昕获国家专利权
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龙图腾网获悉臻驱科技(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体功率模块衬底结构和模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798699U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520508354.0，技术领域涉及：H10W70/60；该实用新型一种半导体功率模块衬底结构和模块是由夏雨昕;陈圣霖设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体功率模块衬底结构和模块在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体功率模块衬底结构和模块，涉及电子电力技术领域；包括上衬底和下衬底；下衬底上通过沟槽沿第一方向依次划分为第一区域、第二区域、第三区域；上衬底上通过沟槽沿第一方向依次划分为第四区域和第五区域；第一区域和第三区域内设有至少一个芯片；各个芯片上设有第一导电块；位于第一区域第一导电块与第四区域连接；位于第三区域的第一导电块与第五区域连接；下衬底上在一区域和第二区域还设有第二导电块；位于第一区域的第二导电块远离下衬底一侧与第五区域连接；位于第二区域的第二导电块远离下衬底一侧与第四区域连接，以解决现有衬底结构大多需要根据芯片人工设计，操作繁琐生产效率低的问题。
本实用新型一种半导体功率模块衬底结构和模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率模块衬底结构，其特征在于： 包括上衬底和下衬底； 所述下衬底上通过沟槽沿第一方向依次划分为第一区域、第二区域、第三区域； 所述上衬底上通过沟槽沿第一方向依次划分为第四区域和第五区域； 所述第一区域和所述第三区域内设有至少一个芯片； 各个所述芯片上设有第一导电块； 位于所述第一区域的芯片上的第一导电块远离所述芯片一侧与所述第四区域连接； 位于所述第三区域的芯片上的第一导电块远离所述芯片一侧与所述第五区域连接； 所述下衬底上在所述一区域和第二区域还设有第二导电块； 位于所述第一区域的第二导电块远离所述下衬底一侧与所述第五区域连接； 位于所述第二区域的第二导电块远离所述下衬底一侧与所述第四区域连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人臻驱科技(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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