重庆云潼科技有限公司王友强获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种集成功率半导体模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223798707U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423323434.3,技术领域涉及:H10W74/10;该实用新型一种集成功率半导体模块是由王友强;廖光朝设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成功率半导体模块在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种集成功率半导体模块。集成功率半导体模块包括基板、第一类型功率芯片、第二类型功率芯片、第一功率引脚、第二功率引脚、第三功率引脚和封装胶体;第一类型功率芯片、第二类型功率芯片、第一功率引脚、第二功率引脚和第三功率引脚均在基板上;第一类型功率芯片和第二类型功率芯片均连接有第一功率引脚、第二功率引脚和第三功率引脚,若干第一类型功率芯片连接成整流区,若干第二类型功率芯片连接成逆变区;基板、整流区和逆变区通过封装胶体进行封装。本实用新型通过封装胶体将整流模块和逆变模块封装在同一模块中,集度高,功能损耗小,成本低,且器件电气绝缘性能优良,功率损耗较小。
本实用新型一种集成功率半导体模块在权利要求书中公布了:1.一种集成功率半导体模块,其特征在于,包括基板、若干第一类型功率芯片、若干第二类型功率芯片、若干第一功率引脚、若干第二功率引脚、若干第三功率引脚和封装胶体; 所述第一类型功率芯片、所述第二类型功率芯片、所述第一功率引脚、所述第二功率引脚和第三功率引脚均设置在所述基板上; 所述第一类型功率芯片连接有所述第一功率引脚、第二功率引脚和所述第三功率引脚,若干所述第一类型功率芯片连接形成整流区; 所述第二类型功率芯片连接有所述第一功率引脚、第二功率引脚和所述第三功率引脚,若干所述第二类型功率芯片连接形成逆变区; 所述基板、所述整流区和所述逆变区通过所述封装胶体进行封装,成为一个整体。
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