天津中科晶禾电子科技有限责任公司宋伟健获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利用于超原子束源选型的磁阵列降温装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223816340U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520337681.4,技术领域涉及:H05K7/20;该实用新型用于超原子束源选型的磁阵列降温装置是由宋伟健;冯策;母凤文;刘福超;郭超;谭向虎设计研发完成,并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于超原子束源选型的磁阵列降温装置在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体材料加工技术领域,公开了一种用于超原子束源选型的磁阵列降温装置,包括冷却腔体和外壳,冷却腔体包裹在磁阵列的外周,且冷却腔体的内部填充有冷却介质,在外壳与磁阵列之间设置有冷却腔体作为散热层结构,能够针对在筛选工作中的磁阵列及时进行降温;外壳套设在冷却腔体的外周,能够限制冷却腔体与磁阵列在沿选型通道的延伸方向的相对位置,稳定降温装置的安装结构。该用于超原子束源选型的磁阵列降温装置能够提高筛选工艺的效果,并保护磁筛选结构的使用寿命。
本实用新型用于超原子束源选型的磁阵列降温装置在权利要求书中公布了:1.用于超原子束源选型的磁阵列降温装置,其特征在于,包括: 冷却腔体100,所述冷却腔体100包裹在磁阵列500的外周,所述冷却腔体100的内部填充有冷却介质; 外壳200,所述外壳200套设在所述冷却腔体100的外周,所述外壳200用于限制所述冷却腔体100与所述磁阵列500在沿选型通道的延伸方向的相对位置。
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