无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司刘丹获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司申请的专利射频屏蔽盖及气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816350U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520127287.8，技术领域涉及：H05K9/00；该实用新型射频屏蔽盖及气相沉积设备是由刘丹;兰丽丽;杨晟;周让林;姚鑫磊设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频屏蔽盖及气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体制造技术领域，公开了一种射频屏蔽盖及气相沉积设备。该射频屏蔽盖罩设等离子源系统的发射源，射频屏蔽盖由至少两个屏蔽子件拼接组合而成，并在射频屏蔽盖上拼接成安装通孔用于供等离子体源系统的传输管穿设；每一屏蔽子件均可拆卸设置于气相沉积设备的基板上，相邻两个屏蔽子件通过锁扣结构连接。通过设置拼接的射频屏蔽盖，等离子体源系统的传输管能安装在安装通孔内，不影响等离子体的正常传输；每一屏蔽子件均与基板可拆卸连接，使得单个屏蔽子件可以直接拆卸下来，无需拆卸等离子源系统。屏蔽子件拼搭式接触并在拼接缝隙处设置连接片，能减小搭接处缝隙尺寸，让射频存在多次反射，有较好的射频屏蔽效果。
本实用新型射频屏蔽盖及气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.射频屏蔽盖，其特征在于，所述射频屏蔽盖用于罩设气相沉积设备中等离子体源系统的发射源，所述射频屏蔽盖包括至少两个屏蔽子件11，所有所述屏蔽子件11拼接组合成所述射频屏蔽盖，且在所述射频屏蔽盖上拼接成安装通孔，所述安装通孔用于供所述等离子体源系统的传输管穿设； 每一所述屏蔽子件11均可拆卸设置于所述气相沉积设备的基板上，相邻两个所述屏蔽子件11之间通过锁扣结构12连接； 连接片13设置于相邻两个所述屏蔽子件11拼接的缝隙处，所述连接片13的一端连接于所述屏蔽子件11，所述连接片13的另一端搭接于另一相邻的所述屏蔽子件11或搭接于与另一相邻的所述屏蔽子件11连接的连接片13。
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