台湾积体电路制造股份有限公司文克刚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有穿孔的半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816358U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422771559.6，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型具有穿孔的半导体结构是由文克刚;王冠勋;萧琮介;王良玮;陈殿豪;陈鑫封设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有穿孔的半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构，其包括衬底、在所述衬底上方的器件层、在所述器件层上方的互连线结构、以及延伸穿过所述衬底、所述器件层以及所述互连线结构的第一多个穿孔以及第二多个穿孔。所述器件层包括第一以及第二器件区。从俯视图来看，所述第一器件区具有面向所述第二器件区的第二侧并且与所述第二器件区的所述第二侧间隔开的第一侧。从俯视图来看，所述第一多个穿孔沿着所述第一器件区的第三侧设置，其相对于所述第一器件区的所述第一侧，所述第二多个穿孔沿着所述第二器件区的第四侧设置，其相对于所述第二器件区的所述第二侧。从俯视图来看，每个穿孔都具有跑道racetrack形状。
本实用新型具有穿孔的半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 器件层，其设置于所述衬底上方，其中所述器件层包括第一器件区以及第二器件区，其中，从俯视图来看，所述第一器件区具有第一侧，其面向并且间隔自所述第二器件区的第二侧； 互连线结构，其设置于所述第一器件区以及所述第二器件区上方；以及 第一多个穿孔以及第二多个穿孔，其延伸穿过所述衬底、所述器件层以及所述互连线结构， 其中，从所述俯视图来看，所述第一多个穿孔沿着所述第一器件区的第三侧设置，其相对于所述第一器件区的所述第一侧，所述第二多个穿孔沿着所述第二器件区的第四侧设置，其相对于所述第二器件区的所述第二侧，以及 其中，从所述俯视图来看，所述第一多个穿孔以及所述第二多个穿孔的每个穿孔都具有跑道形状。
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