安徽长飞先进半导体股份有限公司唐宇坤获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816359U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520323606.2，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆是由唐宇坤;罗成志设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括多个第一区域和多个第二区域，第一区域和第二区域设置于第一表面，并延伸至半导体本体内，第二区域位于相邻的第一区域之间；半导体结构层，位于第一表面，半导体结构层在第一表面上的正投影至少覆盖第二区域在第一表面上的正投影；半导体结构层和第二区域的导电类型相同；第一金属层，位于半导体结构层远离第一表面的一侧；第二金属层，位于第二表面，实现在降低器件正向导通电阻的同时，进一步减小器件漏电流，提升了半导体器件的性能和稳定性。
本实用新型一种半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括多个第一区域和多个第二区域，所述第一区域和所述第二区域设置于所述第一表面，并延伸至所述半导体本体内，所述第二区域位于相邻的所述第一区域之间；所述第一区域为第一导电类型，所述第二区域为第二导电类型； 半导体结构层，位于所述第一表面，所述半导体结构层在所述第一表面上的正投影至少覆盖所述第二区域在所述第一表面上的正投影；所述半导体结构层用于与所述第二区域形成异质结；其中，所述半导体结构层为所述第二导电类型；所述第一导电类型和所述第二导电类型不同； 第一金属层，位于所述半导体结构层远离所述第一表面的一侧； 第二金属层，位于所述第二表面。
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