汉磊科技股份有限公司刘原良获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉汉磊科技股份有限公司申请的专利半导体组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816360U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520137456.6，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体组件是由刘原良;李宜蓁;张元洲;陈彦彰设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体组件在说明书摘要公布了：一种半导体组件，所述半导体组件包含碳化硅磊晶基材、多个阱区、接面场效区、多个源极、多个轻掺杂区、多个重掺杂区、栅极，及漏极电极。特别的是，所述轻掺杂区对应该所述源极设置，每一个该轻掺杂区具有自该碳化硅磊晶基材的顶面向下并位于相应的该源极的侧边的第一轻掺杂层，及位于该第一轻杂层下方，并自该源极的侧边的下半部延伸至该源极的底部的第二轻掺杂层，且该第二轻掺杂层于对应该源极的侧边的宽度大于该第一轻掺杂层，该接面场效区自该碳化硅磊晶基材表面向下形成，位于相邻的所述阱区之间且不与所述阱区相接触。利用所述半导体组件的结构设计可抑制短沟道效应与降低热载流子问题。
本实用新型半导体组件在权利要求书中公布了：1.一种半导体组件，其特征在于，包含： 碳化硅磊晶基材，具有彼此反向的顶面及底面； 两个阱区，间隔地自该碳化硅磊晶基材的顶面向下形成，并具有第二型掺杂； 接面场效区，自该碳化硅磊晶基材的顶面向下形成，位于相邻的所述阱区之间且不与所述阱区相接触，并具有第一型掺杂； 两个源极，分别自该碳化硅磊晶基材的顶面向下延伸而位于所述阱区； 两个轻掺杂区，对应所述源极设置，所述轻掺杂区具有自该碳化硅磊晶基材的顶面向下并位于相应的该源极的侧边的第一轻掺杂层，及位于该第一轻掺杂层下方，并自相应的该源极的侧边的下半部延伸至该源极的底部的第二轻掺杂层，该第一轻掺杂层具有第一型掺杂，该第二轻掺杂层具有第二型掺杂且于对应该源极的侧边的宽度大于该第一轻掺杂层； 两个重掺杂区，分别对应位于所述源极的底部且不超过该阱区，具有第二型掺杂； 栅极，位于该碳化硅磊晶基材的顶面并位于相邻的所述源极之间，且该栅极的左右两侧延伸至与所述源极部分重叠；及 漏极电极，位于该碳化硅磊晶基材的底面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人汉磊科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励