台湾积体电路制造股份有限公司许铭城获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利模拟单元结构及模拟电路装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816362U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520247553.0，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型模拟单元结构及模拟电路装置是由许铭城;杨宇滔;周文昇设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本模拟单元结构及模拟电路装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种模拟单元结构及模拟电路装置。模拟电路装置包括包含多个轨道的底部金属布线层以及包含n型金属氧化物半导体NMOS有源区和p型金属氧化物半导体PMOS有源区、多个多晶硅层和多个金属扩散层的模拟单元。在模拟装置中，NMOS有源区、PMOS有源区、多个多晶硅层以及多个金属扩散层构成CMOS结构。装置还包括围绕模拟单元的多个保护环单元以及被配置为提供底部金属布线层和模拟单元之间的连接的电源轨结构。
本实用新型模拟单元结构及模拟电路装置在权利要求书中公布了：1.一种模拟电路装置，其特征在于，包括： 金属布线层，包括多个轨道； 模拟单元，包括n型金属氧化物半导体有源区和p型金属氧化物半导体有源区、多个多晶硅层以及多个金属扩散层，其中所述n型金属氧化物半导体有源区、所述p型金属氧化物半导体有源区、所述多个多晶硅层和所述多个金属扩散层构成互补式金属氧化物半导体结构； 多个保护环单元，围绕所述模拟单元；以及 电源轨结构，被配置为通过在所述金属布线层和所述模拟单元之间提供连接来提供到所述模拟单元的背侧布线。
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