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龙图腾网获悉上海治精微电子有限公司申请的专利带隙基准电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111142605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010084252.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权带隙基准电路及电子设备是由寿晓强设计研发完成，并于2020-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电路及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种带隙基准电路及电子设备，包括：补偿模块，基于与绝对温度成正比的电流、温度系数为零的电流源及三极管的基极‑发射极电压产生基准电压温度曲率的补偿电压；基准电压产生模块，连接所述补偿模块，利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压的相互抵消产生一与温度无关的基准电压，并通过所述补偿模块补偿所述基准电压的温度曲率。本发明的带隙基准电路及电子设备通过对高阶非线性分量的补偿克服基准电压的曲率问题，大大提高基准电压对温度的稳定性，进而提高系统精度。

本发明授权带隙基准电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路至少包括： 补偿模块，基于与绝对温度成正比的电流、温度系数为零的电流源及三极管的基极-发射极电压产生基准电压温度曲率的补偿电压； 基准电压产生模块，连接所述补偿模块，利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压的相互抵消产生一与温度无关的基准电压，并使得所述补偿电压与所述基准电压叠加以通过所述补偿电压补偿所述基准电压的温度曲率； 其中，所述补偿模块基于串联在所述基准电压产生模块中的第二NMOS管实现补偿，所述第二NMOS管的源极接地，栅极接收控制电压，漏极输出所述补偿电压； 或者，当所述基准电压产生模块包括第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第三PNP三极管、第四PNP三极管及第五放大器时，基于所述补偿模块对所述第三PNP三极管及所述第四PNP三极管基极的控制实现补偿；其中，所述第十二电阻的一端连接所述第五放大器的输出端，另一端经由所述第十三电阻连接所述第三PNP三极管的发射极；所述第三PNP三极管的基极连接所述补偿模块的输出端，集电极接地；所述第十四电阻的一端连接所述第五放大器的输出端，另一端连接所述第四PNP三极管的发射极；所述第四PNP三极管的基极连接所述补偿模块的输出端，集电极接地；所述第五放大器的反相输入端连接所述第十二电阻与所述第十三电阻的连接节点，正相输入端连接所述第四PNP三极管的发射极，输出端输出所述基准电压。

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