ASM IP私人控股有限公司J.托尔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010684142.X，技术领域涉及：H10P32/16；该发明授权实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法是由J.托尔;J.马吉蒂斯;D.科恩设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法在说明书摘要公布了：公开了一种用于形成掺杂层的方法。该掺杂层可用在NMOS或硅锗应用中。例如，可在n‑型掺杂剂应用中使用卤化物前体来创建掺杂层。
本发明授权实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种在设置于半导体衬底上的鳍片上形成接触层的方法，所述方法包括： 清除半导体衬底上器件的任何氧化物，所述半导体衬底设置在反应腔室中的衬托器上； 稳定所述反应腔室的温度； 使卤化物前体流动到所述器件上，所述卤化物前体包含以下中的至少之一：氟化氢HF；氯化氢HCl；溴化氢HBr；碘化氢HI；氯Cl；氟F；溴Br；或碘I； 使硅前体流动到所述器件上，所述硅前体包含以下中的至少之一：硅烷SiH；二氯硅烷DCS；乙硅烷；或丙硅烷；和 使掺杂剂前体流动到所述器件上，所述掺杂剂前体包含以下中的至少之一：PCl；PCl；PBr；PBr；PI；PI；AsCl；AsCl；AsBr；AsBr；AsI；AsI；SbCl3；SbCl；SbBr；SbBr；SbI；SbI；AsH；PH 其中所述硅前体和所述掺杂剂前体反应以形成接触层，其中所述接触层包括磷化硅SiP；砷化硅SiAs；锑化硅SiSb；或其组合； 其中所述卤化物前体防止所述接触层沉积到设置于所述半导体衬底上的介电层上；并且 其中重复任何流动步骤以形成所述接触层的所需厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人ASM IP私人控股有限公司，其通讯地址为：荷兰阿尔梅勒；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励