东京毅力科创株式会社横山乔大获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011216388.0，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权蚀刻方法及等离子体处理装置是由横山乔大;户村幕树;木原嘉英;大内田聪设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明的蚀刻方法包括工序a，所述工序a在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序b，所述工序b通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序b中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。
本发明授权蚀刻方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其包括： 工序a，该工序a在等离子体处理装置的腔室内准备基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模，该掩模含有碳；及 工序b，该工序b通过来自在所述腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述处理气体包含卤素元素及磷， 在所述b中，在所述掩模的表面上形成碳与磷的键合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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