日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110201866.9，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：线路结构，线路结构包括导电衬垫，导电衬垫设置于倾斜面上，导电衬垫的内部具有容置空间；第一导电通孔，第一导电通孔至少部分位于容置空间内，第一导电通孔与导电衬垫电连接。该半导体封装装置能够利用上述容置空间的侧壁为第一导电通孔提供支撑，避免第一导电通孔与位于倾斜面的导电衬垫的表面直接相连，从而改善第一导电通孔与导电衬垫连接部位的受力性能，防止第一导电通孔与导电衬垫连接部位出现断裂，有利于提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装装置的方法，包括： 将芯片放置于基板上； 通过涂布方式在所述基板和所述芯片上方形成介电层，其中，所述介电层包覆所述基板和所述芯片，所述介电层的上表面包括倾斜面； 在所述介电层上形成线路结构，其中，所述线路结构包括导电衬垫，所述导电衬垫位于所述倾斜面上，所述导电衬垫的内部具有容置空间； 通过粘合层将预先形成的重布线层粘接于所述介电层上方； 在所述粘合层和所述重布线层的内部形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔至少部分位于所述容置空间内，所述第一导电通孔与所述导电衬垫电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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