日月光半导体制造股份有限公司张勇舜获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110147418.5，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权封装结构及其形成方法是由张勇舜;李德章;谢孟伟;陈道隆设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：再分布层；第一管芯和第二管芯，位于再分布层上方；底部填充物，位于第一管芯和第二管芯与再分布层之间以及第一管芯与第二管芯之间；以及应力缓冲层，嵌入在再分布层内并且位于底部填充物下方，应力缓冲层的热膨胀系数小于再分布层的热膨胀系数。止述技术方案至少能够避免封装结构中的裂纹产生。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 再分布层，所述再分布层为多层结构； 第一管芯和第二管芯，位于所述再分布层上方； 底部填充物，位于所述第一管芯和所述第二管芯与所述再分布层之间以及所述第一管芯与所述第二管芯之间；以及 应力缓冲层，嵌入在多层结构的所述再分布层的最上层内，位于所述再分布层中的最上层的迹线上方，位于所述底部填充物下方，并且位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙下方，所述应力缓冲层的宽度大于所述间隙的宽度，所述应力缓冲层的热膨胀系数小于所述再分布层的热膨胀系数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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