瑞萨电子株式会社及川隆一获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110031716.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体装置是由及川隆一设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括两个存储器芯片、用于控制每个存储器芯片的一个控制芯片、信号传输路径，在控制芯片与每个存储器芯片之间的信号传输通过该信号传输路径来执行、以及耦合到信号传输路径上的电容。此外，电容电容器元件大于寄生在每个芯片上的每个寄生电容。因此，可以高速执行半导体装置的信号传输。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一存储器芯片； 第二存储器芯片； 控制芯片，控制所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片中的每个存储器芯片；以及 第一信号传输路径，在所述控制芯片与所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片中的每个存储器芯片之间的信号传输通过所述第一信号传输路径来执行， 其中在所述控制芯片与所述第一存储器芯片之间的信号传输经由所述第一信号传输路径来执行， 其中在所述控制芯片与所述第二存储器芯片之间的信号传输经由所述第一信号传输路径的一部分、以及在所述第一信号传输路径的第一分支点处从所述第一信号传输路径分支的第二信号传输路径来执行，所述第一分支点位于所述控制芯片与所述第一存储器芯片之间，以及 其中大于寄生在所述控制芯片上的寄生电容、寄生在所述第一存储器芯片上的第一寄生电容、以及寄生在所述第二存储器芯片上的第二寄生电容中的每个寄生电容的电容被耦合到第三信号传输路径上，所述第三信号传输路径上在所述第一信号传输路径的第二分支点处从所述第一信号传输路径分支，所述第二分支点位于所述控制芯片与所述第一信号传输路径的所述第一分支点之间， 其中耦合到所述第三信号传输路径上的所述电容，大于所述第一寄生电容的1.0倍，并且小于或等于所述第一寄生电容的2.0倍。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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