日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110495190.9，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一线路层，第一线路层的表面上具有多个第一线路结构；第二线路层，第二线路层的表面上具有多个第二线路结构，第一线路结构与第二线路结构相对并且电性连接到相应的第二线路结构的表面，其中，多个第一线路结构的表面处作为与多个第二线路结构电性连接的多个电性接点，多个电性接点中的至少两个电性接点的水平位置不同。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一线路层，所述第一线路层的表面上具有多个第一线路结构； 第二线路层，所述第二线路层的表面上具有多个第二线路结构，所述第一线路结构与所述第二线路结构相对并且电性连接到相应的所述第二线路结构的表面， 其中，所述多个第一线路结构的所述表面处作为与所述多个第二线路结构电性连接的多个电性接点，所述多个电性接点中的至少两个电性接点的水平位置不同， 其中，所述第二线路层的介电层的表面上具有多个凹部，所述多个第二线路结构分别位于所述多个凹部中并且突出于所述凹部的顶面，所述第二线路结构延伸至所述第一线路结构内，并且其中，所述凹部的侧壁延伸超出所述第一线路结构的侧壁并且与所述第一线路结构垂直间隔开， 其中，所述多个凹部的深度是基于所述第一线路结构的厚度，并且所述多个凹部的深度不同，和 其中，在多个所述第一线路结构的一些所述第一线路结构中，一个所述第一线路结构与两个第二线路结构对接，并且所述两个第二线路结构位于同一所述凹部内。
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