中国电子科技集团公司第九研究所陈文波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第九研究所申请的专利一种磁性高熵合金复合材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113658790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110744416.4，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种磁性高熵合金复合材料的制备方法是由陈文波;焦健;唐定兵设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性高熵合金复合材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性高熵合金复合材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，所述磁性高熵合金复合材料的饱和磁化强度能达到153～172emug，硬度值能达到200～233HV，抗拉强度能达到600～712MPa，矫顽力＜200Oe，其制备步骤包括：1高熵合金粉末制备；2铁氧体粉末制备；3将1、2中所得粉末与适量添加剂混合；4装入模具加压成型；5烧结，即得磁性高熵合金复合材料。本发明的通过对高熵合金成分、铁氧体成分及两种成分配比的合理调控及烧结工艺的合理控制获得了力学性能优异、高频磁性能突出的高熵合金磁性复合材料。
本发明授权一种磁性高熵合金复合材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性高熵合金复合材料的制备方法，其特征在于，所述磁性高熵合金复合材料的饱和磁化强度为153～172emug，硬度值为200～233HV，抗拉强度为600～712MPa，矫顽力＜200Oe；所述磁性高熵合金复合材料的制备包括如下步骤： S1、高熵合金粉末制备；高熵合金粉末组分重量比为：Fe20％～30％，Co20％～30％，Ni20％～30％，M20％～30％，余量为Al；其中M为稀土元素，具体是Nb、Tb、Ho或Dy； S2、铁氧体粉末制备； S3、将步骤S1、步骤S2中所得粉末与添加剂混合； S4、将步骤S3中所得原料装入模具加压成形； S5、将步骤S4中所得粉末进行烧结，即得磁性高熵合金复合材料。
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