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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113880040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010635428.9，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法是由郭西;周琪;王志宇;莫炯炯;郁发新设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法，包括步骤：于半导体衬底上形成上下叠置的第一光刻胶层及第二光刻胶层，形成第一刻蚀开口及第二刻蚀开口，基于形成的光刻胶图形形成初始硅空腔，去除剩余第一光刻胶层，刻蚀形成第一深度硅空腔及第二深度硅空腔。通过上述方案，本发明在半导体基底上形成上下两层光刻胶层，即第一光刻胶层及第二光刻胶层，在一次刻蚀之前形成所有不同深度空腔的光刻胶图形，刻蚀过程中，通过更换刻蚀气氛与刻蚀能量等实现上一个深度的硅空腔刻蚀与下一个深度硅空腔刻蚀前表面光胶的清洗，从而实现不同深度硅空腔的一次刻蚀，避免了深硅空腔上涂胶时光刻胶覆盖性差的问题，同时也提高了工作效率，减少污染。

本发明授权微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体基底； 于所述半导体基底上依次形成第一光刻胶层及第二光刻胶层； 形成上下贯穿所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的第一刻蚀开口以及上下贯穿所述第二光刻胶层的第二刻蚀开口，其中，所述第一刻蚀开口对应待形成的第一深度硅空腔，所述第二刻蚀开口对应待形成的第二深度硅空腔，所述第一深度硅空腔的深度大于所述第二深度硅空腔的深度； 基于所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层向下进行刻蚀，以在所述第一刻蚀开口对应位置的所述半导体基底中形成预设深度的初始硅空腔，在所述第二刻蚀开口对应位置刻蚀去除预设厚度的所述第一光刻胶层；其中，所述预设深度介于50-150μm之间；所述预设厚度大于所述第一光刻胶层厚度的35； 去除剩余的所述第一光刻胶层以显露所述第二刻蚀开口对应位置的所述半导体基底； 基于所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层继续向下进行刻蚀，以对应所述初始硅空腔继续刻蚀形成所述第一深度硅空腔，对应所述第二刻蚀开口形成所述第二深度硅空腔； 其中，形成所述第一刻蚀开口及所述第二刻蚀开口的步骤包括： 采用第一光刻工艺于所述第二光刻胶层中形成第一开口及第二开口，所述第二开口构成所述第二刻蚀开口； 采用第二光刻工艺于对应所述第一开口下方的所述第一光刻胶层中形成第三开口，所述第一开口与所述第三开口构成所述第一刻蚀开口。

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