长江存储科技有限责任公司周璐获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111121722.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体器件及其制备方法是由周璐;张权;姚兰设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次沉积绝缘层和停止层，其中，衬底包括高压器件区域和非高压器件区域，绝缘层位于高压器件区域上方的厚度大于对应于非高压器件区域的厚度；在衬底的高压器件区域和非高压器件区域上方分别形成贯穿停止层和绝缘层的多个第一凹槽和多个第二凹槽；对第一凹槽上方的部分停止层进行刻蚀，使第一凹槽在远离衬底一侧的开口宽度大于靠近衬底一侧的开口宽度；以及进一步刻蚀多个第一凹槽和多个第二凹槽的底部使第一凹槽和第二凹槽的深度延伸入衬底的至少一部分。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次沉积绝缘层和停止层，其中，所述衬底包括高压器件区域和非高压器件区域，所述绝缘层位于所述高压器件区域上方的厚度大于对应于所述非高压器件区域的厚度； 在所述衬底的高压器件区域和非高压器件区域上方分别形成贯穿所述停止层和所述绝缘层的多个第一凹槽和多个第二凹槽； 对所述第一凹槽上方的部分所述停止层进行刻蚀，使所述第一凹槽在远离所述衬底一侧的开口宽度大于靠近所述衬底一侧的开口宽度；以及 进一步刻蚀所述多个第一凹槽和所述多个第二凹槽的底部使所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度延伸入所述衬底的至少一部分，所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述衬底中的部分的形状不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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