日月光半导体制造股份有限公司王赞智获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111152136.0，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由王赞智;王盟仁设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过将基板的接地层的边缘设计为非连续边，在后续在基板侧壁采用顺行电磁干扰屏蔽技术形成屏蔽层的过程中，由于接地层边缘设计为非连续边，利用影响基板接地层的胀缩比以降低应力的产生，且当应力产生时，不会因为接地层是连续边而产生连锁反应，也就不会出现整体基板接地层与屏蔽层之间的断路问题。即，通过改变基板接地层的设计，即可有效降低基板接地层与屏蔽层之间的断路与屏蔽失效的风险。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 基板，所述基板具有接地层，其中，所述接地层的边缘为不连续边，所述接地层的边缘处设置有至少两个互不接触的贯穿孔，且相邻两贯穿孔之间设置有所述接地层； 所述基板还包括第一阻焊层，部分所述第一阻焊层填入各所述贯穿孔内； 其中，第一长度与第二长度的比值为所述接地层的热膨胀系数除以所述第一阻焊层的热膨胀系数所得到的比值，所述第一长度为所述接地层的边缘中对应所述第一阻焊层填充入各所述贯穿孔的累计长度，所述第二长度为所述接地层的边缘处未设置所述贯穿孔的累计长度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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