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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111129988.8，技术领域涉及：H10W76/15；该发明授权芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法是由杨振涛;高岭;于斐;刘林杰;张志庆;毕大鹏;王东生;刘旭;路聪阁;马栋栋设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括具有芯腔的陶瓷件，芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区；芯片安装区设有下沉腔，下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面；其中，下沉腔内的为厚金区，无源器件安装区为薄金区；下沉腔的底部设有第一镀金层，无源器件安装区设有第二镀金层，第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉，使其低于薄金部位，从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果，满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求，并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。

本发明授权芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯腔局部厚金封装外壳，其特征在于，包括： 陶瓷件1，具有芯腔9，所述芯腔9的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区8； 所述芯片安装区设有下沉腔4，所述下沉腔4的底部与所述无源器件安装区8处于不同的水平面；其中，所述下沉腔4内为厚金区，所述无源器件安装区8为薄金区； 所述下沉腔4的底部设有第一镀金层，所述无源器件安装区8设有第二镀金层，所述第一镀金层的厚度大于所述第二镀金层的厚度； 将所述厚金区的键合指在所述陶瓷件垂直方向下沉，使其低于所述薄金区； 所述芯片安装区的键合腔作为所述厚金区，也即所述第一镀金层，所述无源器件安装区8作为所述薄金区，也即所述第二镀金层，芯片通过键合丝6键合在所述第一镀金层上，实现芯片的可靠性连接；所述无源器件焊接在所述第二镀金层，减小接触电阻，提高可靠性； 使厚金区域腔体下沉，实现具有与薄金区域垂直方向上最小0.30mm的高度差，即将原来在同一平面的键合区域与焊接区域分为两个平面，然后在镀金时先采用阻焊胶将薄金区域进行遮盖，将厚金区域金层镀覆至2um±1um时，再清洗除去阻焊胶，进行整体薄金镀覆；最终实现同一腔体内部不同区域不同镀层厚度的效果，满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求。

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