爱思开海力士有限公司朴信映获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括坝图案的半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110366847.1，技术领域涉及：H10W70/68；该发明授权包括坝图案的半导体封装及其制造方法是由朴信映;金东贤设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括坝图案的半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及包括坝图案的半导体封装及其制造方法。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸台、以及跨越单元区域并延伸到位于单元区域的外部的边缘区域中的第一坝图案和第二坝图案。
本发明授权包括坝图案的半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，该半导体封装包括： 封装基板，所述封装基板具有穿过所述封装基板形成的通气孔； 半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述封装基板上；以及 模制层，所述模制层包括封装所述半导体芯片的上模制部分以及通过所述通气孔连接到所述上模制部分的下模制部分， 其中，所述封装基板包括： 基板主体，所述基板主体包括多个单元区域，所述多个单元区域具有穿过其设置的所述通气孔； 球形凸台，所述球形凸台设置在所述基板主体的各个所述单元区域中；以及 第一坝图案和第二坝图案，所述第一坝图案和所述第二坝图案与所述基板主体的所述球形凸台间隔开，跨越所述单元区域延伸，并且进一步延伸到所述基板主体的位于所述单元区域的外部的边缘区域中， 其中，所述封装基板还包括介电层，所述介电层延伸以覆盖所述基板主体，所述第一坝图案和所述第二坝图案被覆盖并且所述球形凸台的一些部分通过所述介电层敞开。
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