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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111437316.3，技术领域涉及：H10B41/42；该发明授权一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法是由张俊学;李东;吴智勇设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：一种提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法通过在多晶硅层刻蚀前涂布底层抗反射涂层，并采用回刻工艺降低NorFlash存储区的多晶硅层，同时缩小所述NorFlash存储区和外围区交界处的高度差。本发明通过在多晶硅层刻蚀前涂布底层抗反射涂层，并采用回刻工艺降低所述NorFlash存储区的多晶硅层，同时缩小所述NorFlash存储区和外围区交界处的高度差，不仅可以避免多晶硅层刻蚀时因高度差过大而导致多晶硅刻蚀残留，扩大刻蚀工艺窗口，而且控制栅CG高度的降低也减小了控制栅间的深宽比，扩大了电介质层填充的工艺窗口。

本发明授权一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法通过在多晶硅层刻蚀前涂布底层抗反射涂层，并采用回刻工艺降低NorFlash存储区的多晶硅层，同时缩小所述NorFlash存储区和外围区交界处的高度差； 所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，包括：执行步骤S1：在NorFlash的多晶硅层刻蚀前，对所述NorFlash的存储区和外围区之多晶硅层上涂布底层抗反射涂层，实现表面平坦化；执行步骤S2：在所述NorFlash之底层抗反射涂层上涂布光阻层，并显影显开NorFlash之存储区的光阻层，位于所述NorFlash之外围区的光阻层对所述外围区进行保护；执行步骤S3：采用等离子工艺对所述存储区的底部抗反射涂层进行硬化处理；执行步骤S4：对经过硬化处理的底部抗反射涂层之表层进行刻蚀；执行步骤S5：对经过刻蚀后的底部抗反射涂层进一步进行固化处理，并在所述NorFlash的凹陷区域形成固化保护层；执行步骤S6：采用六氟化硫气体、氮气、四氟化碳气体、氦气的混合气体，刻蚀打开所述多晶硅层表面氧化层；执行步骤S7：对所述NorFlash存储区的多晶硅层进行回刻，以降低所述NorFlash存储区的多晶硅层之厚度；执行步骤S8：去除所述NorFlash凹陷区域的底部抗反射涂层和外围区的光阻层，获得平坦化的交界面。

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