中国科学院宁波材料技术与工程研究所朱小健获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种仿生神经元忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111650253.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种仿生神经元忆阻器及其制备方法是由朱小健;吴柳;张峥;孙启浩;李润伟设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种仿生神经元忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种仿生神经元忆阻器及其制备方法，涉及仿生神经元技术领域，包括衬底、平行对电极和介质层；所述平行对电极和所述介质层均设置在所述衬底上；所述平行对电极包括正电极层和负电极层，所述介质层设置于所述正电极层和所述负电极层之间；所述介质层采用晶格中含有低激活能离子的半导体材料；所述介质层中的晶格存在两种低激活能离子，在电场驱动下，两种低激活能离子受电场调控，分别向正负两极移动，用于模拟神经元在受到刺激时膜内外钠钾离子输运变化产生的膜电位变化过程。本发明能够在无需搭建外围电路的情况上，实现模拟神经元膜电位变化、神经元累计发射现象和神经元不应期行为。
本发明授权一种仿生神经元忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种仿生神经元忆阻器，其特征在于，包括衬底、平行对电极和介质层；所述平行对电极和所述介质层均设置在所述衬底上； 所述平行对电极包括正电极层和负电极层，所述介质层设置于所述正电极层和所述负电极层之间； 所述介质层采用晶格中含有低激活能离子的半导体材料； 所述介质层中的晶格存在两种低激活能离子，在电场驱动下，两种低激活能离子受电场调控，分别向正负两极移动，用于模拟神经元在受到刺激时膜内外钠钾离子输运变化产生的膜电位变化过程； 所述介质层采用纯无机钙钛矿材料，所述晶格中含有两种低激活能离子的半导体钙钛矿材料为Cs2AgBiCl6、Cs2AgBiBr6、Cs2AgBiI6中的一种。
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