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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210143827.2，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法是由王旭东;伍帅琴;陈艳;王建禄;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法，涉及偏振光电探测技术领域，该偏振光电探测器从下向上观测依次是衬底、二维半导体层、金属电极对以及铁电薄膜层；二维半导体层的材料为黑磷；铁电薄膜层的材料为聚偏氟乙烯基铁电聚合物；金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极和所述第二金属电极之间形成的沟道结构暴露出部分二维半导体层；其中，通过对铁电薄膜层电极化后暴露出的部分二维半导体层形成面内PN结。利用铁电薄膜的强局域场改变黑磷在armchair方向和zigzag方向上的塞贝克系数和电导率，增强armchair方向上的光电流，使得偏振光电探测器的偏振探测比大大提高。

本发明授权一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电局域场增强的偏振光电探测器，其特征在于，从下向上观测依次是衬底、二维半导体层、金属电极对以及铁电薄膜层； 所述二维半导体层的材料为黑磷；所述铁电薄膜层的材料为聚偏氟乙烯基铁电聚合物； 所述金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极；所述第一金属电极和所述第二金属电极之间形成的沟道结构暴露出部分所述二维半导体层；其中，通过对所述铁电薄膜层电极化后，使得暴露出的部分所述二维半导体层形成面内PN结； 所述偏振光电探测器的制备方法包括：在具有氮气氛围的手套箱中采用机械剥离转移工艺将二维半导体材料转移至衬底表面，以生成所述二维半导体层； 利用压电力显微镜极化目标样品中的所述铁电薄膜层，从而使所述沟道结构所暴露出的所述二维半导体层形成面内PN结，具体包括： 将所述压电力显微镜中的导电探针以接触模式对所述目标样品进行扫描，确定所述铁电薄膜层； 将信号发生器产生的电压通过所述导电探针施加在所述铁电薄膜层上，在所述铁电薄膜层的一侧施加正电压，在所述铁电薄膜层的另一侧施加负电压，从而调控目标二维半导体层分别为电子导电和空穴导电，最终使所述目标二维半导体层形成面内PN结，得到偏振光电探测器。

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