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龙图腾网获悉安普林荷兰有限公司申请的专利RF放大器封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111443631.7，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权RF放大器封装是由约瑟夫斯·H·B·范德赞登;丹尼尔·玛森设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF放大器封装在说明书摘要公布了：本发明涉及RF放大器封装。本发明进一步涉及用于这种放大器封装的、包括RF功率FET的半导体管芯。根据本发明，RF功率FET包括布置在栅极键合条和第一漏极键合条之间的第二漏极键合条，第一漏极键合条连接到RF放大器封装的输出端。漏极指状物从第二漏极键合条朝向栅极键合条延伸，且漏极指状物朝向第一漏极键合条延伸。第二漏极键合条使用键合线连接到隔直电容器。这些键合线形成电感，该电感与RF功率FET的输出电容在RF放大器封装的工作频率处或RF放大器封装的工作频率附近进行谐振。通过在栅极键合条和第一漏极键合条之间布置第二漏极键合条，RF放大器封装可以以更高的频率工作。

本发明授权RF放大器封装在权利要求书中公布了：1.一种射频RF放大器封装，包括： 输入端2； 输出端1； 衬底3； 第一隔直电容器C1，具有第一端和接地的第二端； 安装在所述衬底上的半导体管芯4，所述半导体管芯包括： 半导体衬底； 集成在所述半导体衬底上的RF功率场效应晶体管FET5，所述RF功率FET具有输出电容Cds并配置成在工作频率范围内运行； 栅极键合条9，使用多条栅极键合线直接连接到所述输入端或者经由输入阻抗匹配级连接到所述输入端； 第一漏极键合条8，使用多条漏极键合线直接连接到所述输出端或者经由输出阻抗匹配级连接到所述输出端； 第二漏极键合条8’，布置在所述栅极键合条和所述第一漏极键合条之间； 多条第一键合线14，将所述第二漏极键合条连接到所述第一隔直电容器的第一端； 其中，所述RF功率FET包括： 多个栅极指状物7，所述多个栅极指状物电连接到所述栅极键合条且所述多个栅极指状物中的每个栅极指状物从所述栅极键合条朝向所述第一漏极键合条延伸并延伸到所述第二漏极键合条下方； 第一组漏极指状物6，所述第一组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条和所述第一漏极键合条之间的区域中延伸， 其特征在于，所述RF功率FET进一步包括第二组漏极指状物6’，所述第二组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条和所述栅极键合条之间的区域中延伸，其中，所述多个栅极指状物中的每个栅极指状物与所述第一组漏极指状物和所述第二组漏极指状物中相应的漏极指状物操作地耦合； 其中，所述第一组漏极指状物中的漏极指状物布置成与所述第二组漏极指状物中相应的漏极指状物对齐，以形成相应的多对对齐的漏极指状物，并且其中，所述栅极指状物与所述相应的多对对齐的漏极指状物操作地耦合。

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