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龙图腾网获悉无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司申请的专利一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210379225.7，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路是由牛森彪;黄伟设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路，包括折叠共源共栅结构的全差分运放和共模反馈电路；所述折叠共源共栅结构的全差分运放，用于检测全差分运放的输出共模电压，并将所述输出共模电压提供给所述共模反馈电路；所述共模反馈电路，用于根据全差分运放提供的输出共模电压调整共模反馈电压，从而调整镜像到全差分运放中的电流，以稳定全差分运放的输出共模电压。本发明提供的用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路，能够以简单的结构实现共模反馈的效果，同时拥有更少的电路开销以及较低的功耗。

本发明授权一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路在权利要求书中公布了：1.一种用于自调零积分器的全差分共模反馈运放电路，其特征在于，包括折叠共源共栅结构的全差分运放I1和共模反馈电路I2； 所述折叠共源共栅结构的全差分运放I1，用于检测全差分运放I1的输出共模电压，并将所述输出共模电压提供给所述共模反馈电路I2； 所述共模反馈电路I2，用于根据全差分运放I1提供的输出共模电压调整共模反馈电压，从而调整镜像到全差分运放I1中的电流，以稳定全差分运放I1的输出共模电压； 其中，所述折叠共源共栅结构的全差分运放I1包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10以及第十一MOS管M11，所述共模反馈电路I2包括第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第一电容C1、第二电容C2、第一开关S1以及第二开关S2；所述第一MOS管M1的源极、所述第二MOS管M2的源极、所述第三MOS管M3的漏极以及所述第一开关S1的一端均连接共模检测电平Vsense，所述第一MOS管M1的栅极接第一输入电压Vip，所述第一MOS管M1的漏极分别连接所述第四MOS管M4的漏极和所述第六MOS管M6的源极；所述第二MOS管M2的栅极连接第二输入电压Vin，漏极分别连接所述第五MOS管M5的漏极和所述第七MOS管M7的源极；所述第三MOS管M3的栅极、所述第十MOS管M10的栅极、所述第十一MOS管M11的栅极和所述第十二MOS管M12的栅极均接到第一偏置电压Vb1，所述第三MOS管M3的源极、所述第十MOS管M10的源极、所述第十一MOS管M11的源极和所述第十二MOS管M12的源极均接地；所述第四MOS管M4的栅极、所述第五MOS管M5的栅极和所述第二开关S2的一端均接到所述共模反馈电压Vcmfb，所述第四MOS管M4的源极、所述第五MOS管M5的源极以及第十四MOS管M14的源极均连接电源电压VDD；所述第六MOS管M6的栅极与所述第七MOS管M7的栅极均接到第三偏置电压Vb3，所述第六MOS管M6的漏极与所述第八MOS管M8的漏极均接到第一运放输出端Von；所述第七MOS管M7的漏极与所述第九MOS管M9的漏极均接到第二运放输出端Vop；所述第八MOS管M8的栅极与所述第九MOS管M9的栅极均接到第二偏置电压Vb2，所述第八MOS管M8的源极接所述第十MOS管M10的漏极；所述第九MOS管M9的源极连接所述第十一MOS管M11的漏极；所述第十二MOS管M12的漏极分别连接所述第一开关S1的另一端和所述第十三MOS管M13的源极；所述第十三MOS管M13的栅极连接所述输出共模电压Vcom；所述第十四MOS管M14的漏极分别连接所述第十四MOS管M14的栅极、所述第二开关S2的另一端和所述第十三MOS管M13的漏极；所述第一电容C1的一端连接所述共模反馈电压Vcmfb，所述第一电容C1的另一端连接所述第二运放输出端Vop；所述第二电容C2的一端连接所述共模反馈电压Vcmfb，所述第二电容C2的另一端连接所述第一运放输出端Von；所述第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12以及第十三MOS管M13均为NMOS管；所述第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7以及第十四MOS管M14均为PMOS管。

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